二次(ci)硫(liu)(liu)化的(de)(de)目的(de)(de)是為了除去添加劑分(fen)解產生的(de)(de)揮發成分(fen)，進(jin)一步(bu)完(wan)善硫(liu)(liu)化交聯，提高制品的(de)(de)強(qiang)度和穩(wen)定性。二次(ci)硫(liu)(liu)化的(de)(de)影響(xiang)因素(su)主要是溫(wen)度和時(shi)間(jian)。

圖7、圖8分別顯示(shi)了經過8h二次(ci)硫化的硅膠方片(pian)正已(yi)烷浸(jin)泡(pao)液蒸(zheng)發(fa)殘(can)渣及揮發(fa)性有機物(wu)含(han)量隨溫度的變化情況(kuang)。

從(cong)圖(tu)中可以看出(chu)，制(zhi)品的(de)(de)正已烷浸泡液蒸(zheng)發殘渣(zha)及揮(hui)發性有(you)(you)(you)機(ji)(ji)物含(han)(han)量隨著溫度(du)(du)的(de)(de)升高(gao)(gao)而降低，這可能(neng)是因為(wei)提高(gao)(gao)溫度(du)(du)會(hui)促進制(zhi)品進一步硫(liu)化，制(zhi)品的(de)(de)密度(du)(du)增加，網(wang)狀結構更穩定(ding)，同時部分揮(hui)發性小(xiao)分子物質在硫(liu)化過(guo)程(cheng)中逸出(chu)，因而向正己烷浸泡液遷移(yi)析出(chu)的(de)(de)物質減少(shao)，揮(hui)發性有(you)(you)(you)機(ji)(ji)物的(de)(de)含(han)(han)量也逐漸減少(shao)。在硫(liu)化溫度(du)(du)達(da)200℃時，揮(hui)發性有(you)(you)(you)機(ji)(ji)物的(de)(de)含(han)(han)量小(xiao)于(yu)0.5%，已低于(yu)法規(gui)的(de)(de)參考(kao)限值;另一方而，硫(liu)化溫度(du)(du)過(guo)高(gao)(gao)會(hui)使硅(gui)膠分子鏈產(chan)生裂解反應，導致交聯鍵(jian)斷裂，出(chu)現(xian)返硫(liu)現(xian)象，使硫(liu)化膠的(de)(de)物理(li)性能(neng)下降，因此從(cong)產(chan)品的(de)(de)性能(neng)和生產(chan)成本考(kao)慮，200℃為(wei)一個適宜溫度(du)(du)。

圖9、圖10分別(bie)顯示(shi)了在200℃二(er)次(ci)硫化的硅膠方(fang)片正已烷(wan)浸(jin)泡液(ye)蒸(zheng)發殘渣及揮發性有機物(wu)含(han)量隨時(shi)間的變化清況。

從(cong)圖中(zhong)可以看出，制品的(de)(de)正已烷浸泡(pao)液蒸發殘渣及揮(hui)(hui)發性有機物(wu)(wu)含(han)量隨(sui)著時(shi)間的(de)(de)增加而降低，這可能是因為在一定的(de)(de)溫度下，硫(liu)(liu)化(hua)(hua)時(shi)間決定硫(liu)(liu)化(hua)(hua)程度，隨(sui)著時(shi)間的(de)(de)延長制品的(de)(de)交(jiao)聯程度提高，同時(shi)部分(fen)揮(hui)(hui)發性小分(fen)子物(wu)(wu)質(zhi)在硫(liu)(liu)化(hua)(hua)過程中(zhong)不斷逸(yi)出，因而向正己烷浸泡(pao)液遷移(yi)析出的(de)(de)物(wu)(wu)質(zhi)減(jian)(jian)少(shao)，揮(hui)(hui)發性有機物(wu)(wu)的(de)(de)含(han)量也逐漸減(jian)(jian)少(shao)。在硫(liu)(liu)化(hua)(hua)時(shi)間為4h時(shi)，揮(hui)(hui)發性有機物(wu)(wu)的(de)(de)含(han)量小于0.5%，已低于法(fa)規的(de)(de)參考限值，綜合企業(ye)的(de)(de)生(sheng)產(chan)成本考慮(lv)，4h的(de)(de)時(shi)間較(jiao)為適宜。